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零件图片(仅供参考)
ECH8306-TL-E
规格参数
  • ON安森美半导体完整型号: ECH8306-TL-E
    制造厂家名称: SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation
    功能总体简述: MOSFET P-CH 100V 2A ECH8
    系列: -
    FET 类型: MOSFET P 通道,金属氧化物
    FET 功能: 逻辑电平栅极,4V 驱动
    漏源极电压(Vdss): 100V
    电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 2A(Ta)
    不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 225 毫欧 @ 1A,10V
    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): -
    不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 33nC @ 10V
    不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 1600pF @ 20V
    功率 - 最大值: 1.6W
    安装类型: 表面贴装
    产品封装: 8-SMD,扁平引线
    供应商器件封装: 8-ECH
    ECH8306-TL-E,安森美(ON)产品一站式供应商。
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    基本参数:
  • 电子零件型号:ECH8306-TL-E
  • 原始制造厂商:安森美(ONSemi)
  • 技术标准参数:MOSFET P-CH 100V 2A ECH8
  • 产品应用分类:FET - 单
  • 点击此处查询ECH8306-TL-E的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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