ECH8601M-TL-H-P（安森美，晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：8-SMD，扁平引线）

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零件图片（仅供参考）

规格参数

制造商产品型号：ECH8601M-TL-H-P

制造商：ON Semiconductor

描述：MOSFET 2N-CH

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

产品系列：-

零件状态：停产

FET类型：2 N 沟道（双）共漏

FET功能：逻辑电平栅极，2.5V 驱动

漏源电压（Vdss）：24V

25°C时电流-连续漏极(Id)：8A（Ta）

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：23 毫欧 @ 4A，4.5V

不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.3V @ 1mA

不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：7.5nC @ 4.5V

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-

功率-最大值：-

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装：8-SMD，扁平引线

ECH8601M-TL-H-P，安森美（ON）产品一站式供应商。

基本参数：

电子零件型号：ECH8601M-TL-H-P

原始制造厂商：安森美（ONSemi）

技术标准参数：MOSFET 2N-CH

产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

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