FCPF400N80Z（安森美，晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：TO-220F）

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零件图片（仅供参考）

规格参数

制造商产品型号：FCPF400N80Z

制造商：ON Semiconductor

描述：MOSFET N-CH 800V 11A TO220F

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

产品系列：SuperFET? II

零件状态：有源

FET类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：800V

25°C时电流-连续漏极(Id)：11A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：400 毫欧 @ 5.5A，10V

不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 1.1mA

不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：56nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2350pF @ 100V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：35.7W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：通孔

器件封装：TO-220F

FCPF400N80Z，安森美（ON）产品一站式供应商。

基本参数：

电子零件型号：FCPF400N80Z

原始制造厂商：安森美（ONSemi）

技术标准参数：MOSFET N-CH 800V 11A TO220F

产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

点击此处查询FCPF400N80Z的技术规格手册Datasheet（PDF文件）

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