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零件图片(仅供参考)
FDC6321C
规格参数
  • 制造商产品型号:FDC6321C
  • 制造商:ON Semiconductor
  • 描述:MOSFET N/P-CH 25V SSOT-6
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
  • 产品系列:-
  • 零件状态:有源
  • FET类型:N 和 P 沟道
  • FET功能:逻辑电平门
  • 漏源电压(Vdss):25V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):680mA,460mA
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):450 毫欧 @ 500mA,4.5V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):2.3nC @ 5V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):50pF @ 10V
  • 功率-最大值:700mW
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
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    基本参数:
  • 电子零件型号:FDC6321C
  • 原始制造厂商:安森美(ONSemi)
  • 技术标准参数:MOSFET N/P-CH 25V SSOT-6
  • 产品应用分类:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
  • 点击此处查询FDC6321C的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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