FDC6321C（安森美，晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6）

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零件图片（仅供参考）

规格参数

制造商产品型号：FDC6321C

制造商：ON Semiconductor

描述：MOSFET N/P-CH 25V SSOT-6

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

产品系列：-

零件状态：有源

FET类型：N 和 P 沟道

FET功能：逻辑电平门

漏源电压（Vdss）：25V

25°C时电流-连续漏极(Id)：680mA，460mA

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：450 毫欧 @ 500mA，4.5V

不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA

不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：2.3nC @ 5V

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：50pF @ 10V

功率-最大值：700mW

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

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基本参数：

电子零件型号：FDC6321C

原始制造厂商：安森美（ONSemi）

技术标准参数：MOSFET N/P-CH 25V SSOT-6

产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

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