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规格参数
制造商产品型号:FDG6303N_G制造商:ON Semiconductor描述:INTEGRATED CIRCUIT系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列产品系列:-零件状态:停产FET类型:2 N-通道(双)FET功能:逻辑电平门漏源电压(Vdss):25V25°C时电流-连续漏极(Id):500mA不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):450 毫欧 @ 500mA,4.5V不同Id时Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):2.3nC @ 4.5V不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):50pF @ 10V功率-最大值:300mW工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型:表面贴装型封装:6-TSSOP,SC-88,SOT-363FDG6303N_G,安森美(ON)产品一站式供应商。
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