FDS4897C（安森美，晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽））

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零件图片（仅供参考）

规格参数

制造商产品型号：FDS4897C

制造商：ON Semiconductor

描述：MOSFET N/P-CH 40V 6.2/4.4A 8SOIC

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

产品系列：PowerTrench?

零件状态：有源

FET类型：N 和 P 沟道

FET功能：逻辑电平门

漏源电压（Vdss）：40V

25°C时电流-连续漏极(Id)：6.2A，4.4A

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：29 毫欧 @ 6.2A，10V

不同Id时Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA

不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：20nC @ 10V

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：760pF @ 20V

功率-最大值：900mW

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）

FDS4897C，安森美（ON）产品一站式供应商。

基本参数：

电子零件型号：FDS4897C

原始制造厂商：安森美（ONSemi）

技术标准参数：MOSFET N/P-CH 40V 6.2/4.4A 8SOIC

产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

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