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规格参数
制造商产品型号:FGH40T65SHD-F155制造商:ON Semiconductor描述:IGBT 650V 80A 268W TO-247系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列:-零件状态:有源IGBT类型:沟槽型场截止电压-集射极击穿(最大值):650V电流-集电极(Ic)(最大值):80A电流-集电极脉冲(Icm):120A不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,40A功率-最大值:268W开关能量:1.01mJ(开),297μJ(关)输入类型:标准栅极电荷:72.2nC25°C时Td(开/关)值:19.2ns/65.6ns测试条件:400V,40A,6 欧姆,15V反向恢复时间(trr):31.8ns工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)安装类型:通孔封装:TO-247-3FGH40T65SHD-F155,安森美(ON)产品一站式供应商。
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