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零件图片(仅供参考)
FGH40T65SQD_F155
规格参数
  • 制造商产品型号:FGH40T65SQD_F155
  • 制造商:ON Semiconductor
  • 描述:650V FS4 TRENCH IGBT
  • 系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列:-
  • 零件状态:有源
  • IGBT类型:沟槽型场截止
  • 电压-集射极击穿(最大值):650V
  • 电流-集电极(Ic)(最大值):80A
  • 电流-集电极脉冲(Icm):160A
  • 不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,40A
  • 功率-最大值:238W
  • 开关能量:138μJ(开),52μJ(关)
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:80nC
  • 25°C时Td(开/关)值:16.4ns/86.4ns
  • 测试条件:400V,10A,6 欧姆,15V
  • 反向恢复时间(trr):31.8ns
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型:通孔
  • 封装:TO-247-3
  • FGH40T65SQD_F155,安森美(ON)产品一站式供应商。
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    基本参数:
  • 电子零件型号:FGH40T65SQD_F155
  • 原始制造厂商:安森美(ONSemi)
  • 技术标准参数:650V FS4 TRENCH IGBT
  • 产品应用分类:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 点击此处查询FGH40T65SQD_F155的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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