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规格参数
制造商产品型号:FQB34N20TM-AM002制造商:ON Semiconductor描述:MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个产品系列:QFET?零件状态:有源FET类型:N 通道技术:MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss):200V25°C时电流-连续漏极(Id):31A(Tc)驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):75 毫欧 @ 15.5A,10V不同Id时Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):78nC @ 10VVgs(最大值):±30V不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):3100pF @ 25VFET功能:-功率耗散(最大值):3.13W(Ta),180W(Tc)工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型:表面贴装型器件封装:D2PAK(TO-263AB)FQB34N20TM-AM002,安森美(ON)产品一站式供应商。
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