HGT1S10N120BNS（安森美，晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB）

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零件图片（仅供参考）

规格参数

制造商产品型号：HGT1S10N120BNS

制造商：ON Semiconductor

描述：IGBT 1200V 35A 298W TO263AB

系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

产品系列：-

零件状态：不適用於新設計

IGBT类型：NPT

电压-集射极击穿（最大值）：1200V

电流-集电极(Ic)（最大值）：35A

电流-集电极脉冲(Icm)：80A

不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.7V @ 15V，10A

功率-最大值：298W

开关能量：320μJ（开），800μJ（关）

输入类型：标准

栅极电荷：100nC

25°C时Td（开/关）值：23ns/165ns

测试条件：960V，10A，10 欧姆，15V

反向恢复时间(trr)：-

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

HGT1S10N120BNS，安森美（ON）产品一站式供应商。

基本参数：

电子零件型号：HGT1S10N120BNS

原始制造厂商：安森美（ONSemi）

技术标准参数：IGBT 1200V 35A 298W TO263AB

产品应用分类：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

点击此处查询HGT1S10N120BNS的技术规格手册Datasheet（PDF文件）

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