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零件图片(仅供参考)
HGTP12N60A4D
规格参数
  • 制造商产品型号:HGTP12N60A4D
  • 制造商:ON Semiconductor
  • 描述:IGBT 600V 54A TO220-3
  • 系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列:-
  • 零件状态:最後搶購
  • IGBT类型:-
  • 电压-集射极击穿(最大值):600V
  • 电流-集电极(Ic)(最大值):54A
  • 电流-集电极脉冲(Icm):96A
  • 不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):2.7V @ 15V,12A
  • 功率-最大值:167W
  • 开关能量:55μJ(开),50μJ(关)
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:78nC
  • 25°C时Td(开/关)值:17ns/96ns
  • 测试条件:390V,12A,10 欧姆,15V
  • 反向恢复时间(trr):30ns
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:通孔
  • 封装:TO-220-3
  • HGTP12N60A4D,安森美(ON)产品一站式供应商。
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    基本参数:
  • 电子零件型号:HGTP12N60A4D
  • 原始制造厂商:安森美(ONSemi)
  • 技术标准参数:IGBT 600V 54A TO220-3
  • 产品应用分类:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 点击此处查询HGTP12N60A4D的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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