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零件图片（仅供参考）
MJD112TF
规格参数
  • 制造商产品型号：MJD112TF
  • 制造商：ON Semiconductor
  • 描述：TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
  • 系列：晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：停产
  • 晶体管类型：NPN - 达林顿
  • 电流-集电极(Ic)（最大值）：2A
  • 电压-集射极击穿（最大值）：100V
  • 不同?Ib、Ic时?Vce饱和压降（最大值）：3V @ 40mA，4A
  • 电流-集电极截止（最大值）：20μA
  • 不同?Ic、Vce?时DC电流增益(hFE)（最小值）：1000 @ 2A，3V
  • 功率-最大值：1.75W
  • 频率-跃迁：25MHz
  • 工作温度：150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
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    基本参数：
  • 电子零件型号：MJD112TF
  • 原始制造厂商：安森美（ONSemi）
  • 技术标准参数：TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
  • 产品应用分类：晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
  • 点击此处查询MJD112TF的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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