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零件图片（仅供参考）
MJE802G
规格参数
  • 制造商产品型号：MJE802G
  • 制造商：ON Semiconductor
  • 描述：TRANS NPN DARL 80V 4A TO225AA
  • 系列：晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：有源
  • 晶体管类型：NPN - 达林顿
  • 电流-集电极(Ic)（最大值）：4A
  • 电压-集射极击穿（最大值）：80V
  • 不同?Ib、Ic时?Vce饱和压降（最大值）：2.5V @ 30mA，1.5A
  • 电流-集电极截止（最大值）：100μA
  • 不同?Ic、Vce?时DC电流增益(hFE)（最小值）：750 @ 1.5A，3V
  • 功率-最大值：40W
  • 频率-跃迁：-
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 封装：TO-225AA，TO-126-3
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    基本参数：
  • 电子零件型号：MJE802G
  • 原始制造厂商：安森美（ONSemi）
  • 技术标准参数：TRANS NPN DARL 80V 4A TO225AA
  • 产品应用分类：晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
  • 点击此处查询MJE802G的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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