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零件图片(仅供参考)
MMBFJ177_G
规格参数
  • 制造商产品型号:MMBFJ177_G
  • 制造商:ON Semiconductor
  • 描述:INTEGRATED CIRCUIT
  • 系列:晶体管 - JFET
  • 零件状态:停产
  • FET类型:P 通道
  • 电压-击穿(V(BR)GSS):30V
  • 漏源电压(Vdss):-
  • 不同Vds(Vgs=0)时电流-漏极(Idss):1.5mA @ 15V
  • 漏极电流(Id)-最大值:-
  • 不同Id时电压-截止(VGSoff):800mV @ 10nA
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):-
  • 电阻-RDS(On):-
  • 功率-最大值:225mW
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
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    基本参数:
  • 电子零件型号:MMBFJ177_G
  • 原始制造厂商:安森美(ONSemi)
  • 技术标准参数:INTEGRATED CIRCUIT
  • 产品应用分类:晶体管 - JFET
  • 点击此处查询MMBFJ177_G的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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