MPSW63G（安森美，晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个，封装：TO-226-3，TO-92-3 长体）

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零件图片（仅供参考）

规格参数

制造商产品型号：MPSW63G

制造商：ON Semiconductor

描述：TRANS PNP DARL 30V 0.5A TO92

系列：晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

产品系列：-

零件状态：停产

晶体管类型：PNP - 达林顿

电流-集电极(Ic)（最大值）：500mA

电压-集射极击穿（最大值）：30V

不同?Ib、Ic时?Vce饱和压降（最大值）：1.5V @ 100μA，100mA

电流-集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）

不同?Ic、Vce?时DC电流增益(hFE)（最小值）：10000 @ 100mA，5V

功率-最大值：1W

频率-跃迁：125MHz

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：通孔

封装：TO-226-3，TO-92-3 长体

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基本参数：

电子零件型号：MPSW63G

原始制造厂商：安森美（ONSemi）

技术标准参数：TRANS PNP DARL 30V 0.5A TO92

产品应用分类：晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

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