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零件图片(仅供参考)
MUN5111DW1T1G
规格参数
  • 制造商产品型号:MUN5111DW1T1G
  • 制造商:ON Semiconductor
  • 描述:TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
  • 系列:晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置
  • 零件状态:有源
  • 晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
  • 电流-集电极(Ic)(最大值):100mA
  • 电压-集射极击穿(最大值):50V
  • 电阻器-基极(R1):10 千欧
  • 电阻器-发射极(R2):10 千欧
  • 不同?Ic、Vce?时DC电流增益(hFE)(最小值):35 @ 5mA,10V
  • 不同?Ib、Ic时?Vce饱和压降(最大值):250mV @ 300μA,10mA
  • 电流-集电极截止(最大值):500nA
  • 频率-跃迁:-
  • 功率-最大值:250mW
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • MUN5111DW1T1G,安森美(ON)产品一站式供应商。
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    基本参数:
  • 电子零件型号:MUN5111DW1T1G
  • 原始制造厂商:安森美(ONSemi)
  • 技术标准参数:TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
  • 产品应用分类:晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置
  • 点击此处查询MUN5111DW1T1G的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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