MUN5111DW1T1G（安森美，晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置，封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363）

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零件图片（仅供参考）

规格参数

制造商产品型号：MUN5111DW1T1G

制造商：ON Semiconductor

描述：TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88

系列：晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置

零件状态：有源

晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双）

电流-集电极(Ic)（最大值）：100mA

电压-集射极击穿（最大值）：50V

电阻器-基极(R1)：10 千欧

电阻器-发射极(R2)：10 千欧

不同?Ic、Vce?时DC电流增益(hFE)（最小值）：35 @ 5mA，10V

不同?Ib、Ic时?Vce饱和压降（最大值）：250mV @ 300μA，10mA

电流-集电极截止（最大值）：500nA

频率-跃迁：-

功率-最大值：250mW

安装类型：表面贴装型

封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363

MUN5111DW1T1G，安森美（ON）产品一站式供应商。

基本参数：

电子零件型号：MUN5111DW1T1G

原始制造厂商：安森美（ONSemi）

技术标准参数：TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88

产品应用分类：晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置

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