NGB18N40ACLBT4G（安森美，单路IGBT，D2PAK）

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零件图片（仅供参考）

规格参数

ON安森美半导体完整型号：NGB18N40ACLBT4G

制造厂家名称：ON Semiconductor

描述：IGBT 430V 18A 115W D2PAK3

系列：-

IGBT 类型：-

电压 - 集射极击穿（最大值）：430V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：18A

Current - Collector Pulsed (Icm)：50A

不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：2.5V @ 4V，15A

功率 - 最大值：115W

Switching Energy：-

输入类型：逻辑

Gate Charge：-

25°C 时 Td（开/关）值：-

Test Condition：-

反向恢复时间 (trr)：-

产品封装：TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：D2PAK

NGB18N40ACLBT4G，安森美（ON）产品一站式供应商。

基本参数：

电子零件型号：NGB18N40ACLBT4G

原始制造厂商：安森美（ONSemi）

技术标准参数：IGBT 430V 18A 115W D2PAK3

产品应用分类：单路IGBT

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