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零件图片(仅供参考)
NGB8206ANT4G
规格参数
  • ON安森美半导体完整型号:NGB8206ANT4G
  • 制造厂家名称:ON Semiconductor
  • 描述:IGBT 390V 20A 150W D2PAK3
  • 系列:-
  • IGBT 类型:-
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):390V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):20A
  • Current - Collector Pulsed (Icm):50A
  • 不同 Vge、Ic 时的 Vce(on):1.9V @ 4.5V,20A
  • 功率 - 最大值:150W
  • Switching Energy:-
  • 输入类型:逻辑
  • Gate Charge:-
  • 25°C 时 Td(开/关)值:-/5μs
  • Test Condition:300V,9A,1 千欧,5V
  • 反向恢复时间 (trr):-
  • 产品封装:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 安装类型:表面贴装
  • 供应商器件封装:D2PAK
  • NGB8206ANT4G,安森美(ON)产品一站式供应商。
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    基本参数:
  • 电子零件型号:NGB8206ANT4G
  • 原始制造厂商:安森美(ONSemi)
  • 技术标准参数:IGBT 390V 20A 150W D2PAK3
  • 产品应用分类:单路IGBT
  • 点击此处查询NGB8206ANT4G的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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