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零件图片（仅供参考）
NGD8201ANT4G
规格参数
  • ON安森美半导体完整型号：NGD8201ANT4G
  • 制造厂家名称：ON Semiconductor
  • 描述：IGBT 440V 20A 125W DPAK
  • 系列：-
  • IGBT 类型：-
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）：440V
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：20A
  • Current - Collector Pulsed (Icm)：50A
  • 不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：1.9V @ 4.5V，20A
  • 功率 - 最大值：125W
  • Switching Energy：-
  • 输入类型：逻辑
  • Gate Charge：-
  • 25°C 时 Td（开/关）值：-/5μs
  • Test Condition：300V，9A，1 千欧，5V
  • 反向恢复时间 (trr)：-
  • 产品封装：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
  • 安装类型：表面贴装
  • 供应商器件封装：DPAK-3
  • NGD8201ANT4G，安森美（ON）产品一站式供应商。
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    基本参数：
  • 电子零件型号：NGD8201ANT4G
  • 原始制造厂商：安森美（ONSemi）
  • 技术标准参数：IGBT 440V 20A 125W DPAK
  • 产品应用分类：单路IGBT
  • 点击此处查询NGD8201ANT4G的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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