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零件图片（仅供参考）
NGTB50N60FWG
规格参数
  • ON安森美半导体完整型号：NGTB50N60FWG
  • 制造厂家名称：ON Semiconductor
  • 描述：IGBT 600V 100A 223W TO247
  • 系列：-
  • IGBT 类型：沟道
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）：600V
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100A
  • Current - Collector Pulsed (Icm)：200A
  • 不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：1.7V @ 15V，50A
  • 功率 - 最大值：223W
  • Switching Energy：1.1mJ （开）， 1.2mJ （关）
  • 输入类型：标准
  • Gate Charge：310nC
  • 25°C 时 Td（开/关）值：117ns/285ns
  • Test Condition：400V, 50A, 10 欧姆, 15V
  • 反向恢复时间 (trr)：77ns
  • 产品封装：TO-247-3
  • 安装类型：通孔
  • 供应商器件封装：TO-247
  • NGTB50N60FWG，安森美（ON）产品一站式供应商。
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    基本参数：
  • 电子零件型号：NGTB50N60FWG
  • 原始制造厂商：安森美（ONSemi）
  • 技术标准参数：IGBT 600V 100A 223W TO247
  • 产品应用分类：单路IGBT
  • 点击此处查询NGTB50N60FWG的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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