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规格参数
制造商产品型号：NTLJF3117PT1G制造商：ON Semiconductor描述：MOSFET P-CH 20V 2.3A 6WDFN系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：μCool?零件状态：有源FET类型：P 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：20V25°C时电流-连续漏极(Id)：2.3A（Ta）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.8V，4.5V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：100 毫欧 @ 2A，4.5V不同Id时Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：6.2nC @ 4.5VVgs（最大值）：±8V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：531pF @ 10VFET功能：肖特基二极管（隔离式）功率耗散（最大值）：710mW（Ta）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：6-WDFN（2x2）NTLJF3117PT1G，安森美（ON）产品一站式供应商。
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