NTMD4884NFR2G（安森美，晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：8-SOIC）

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零件图片（仅供参考）

规格参数

制造商产品型号：NTMD4884NFR2G

制造商：ON Semiconductor

描述：MOSFET N-CH 30V 3.3A 8SOIC

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

产品系列：-

零件状态：停产

FET类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：30V

25°C时电流-连续漏极(Id)：3.3A（Ta）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：48 毫欧 @ 4A，10V

不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA

不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：4.2nC @ 4.5V

Vgs（最大值）：±20V

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：360pF @ 15V

FET功能：肖特基二极管（隔离式）

功率耗散（最大值）：770mW（Ta）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

器件封装：8-SOIC

NTMD4884NFR2G，安森美（ON）产品一站式供应商。

基本参数：

电子零件型号：NTMD4884NFR2G

原始制造厂商：安森美（ONSemi）

技术标准参数：MOSFET N-CH 30V 3.3A 8SOIC

产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

点击此处查询NTMD4884NFR2G的技术规格手册Datasheet（PDF文件）

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