NTMJS1D4N06CLTWG（安森美，晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：8-LFPAK）

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零件图片（仅供参考）

规格参数

制造商产品型号：NTMJS1D4N06CLTWG

制造商：ON Semiconductor

描述：MOSFET N-CH 60V 39A/262A 8LFPAK

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

产品系列：-

零件状态：有源

FET类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：60V

25°C时电流-连续漏极(Id)：39A（Ta），262A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：1.3 毫欧 @ 50A，10V

不同Id时Vgs(th)（最大值）：2V @ 280μA

不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：103nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：7430pF @ 30V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：4W（Ta），180W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

器件封装：8-LFPAK

NTMJS1D4N06CLTWG，安森美（ON）产品一站式供应商。

基本参数：

电子零件型号：NTMJS1D4N06CLTWG

原始制造厂商：安森美（ONSemi）

技术标准参数：MOSFET N-CH 60V 39A/262A 8LFPAK

产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

点击此处查询NTMJS1D4N06CLTWG的技术规格手册Datasheet（PDF文件）

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