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规格参数
制造商产品型号:NVTFWS030N06CTAG制造商:ON Semiconductor描述:MOSFET N-CH 60V 6A/19A 8WDFN系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个产品系列:Automotive, AEC-Q101零件状态:有源FET类型:N 通道技术:MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss):60V25°C时电流-连续漏极(Id):6A(Ta),19A(Tc)驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):29.7 毫欧 @ 3A,10V不同Id时Vgs(th)(最大值):4V @ 13μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):4.7nC @ 10VVgs(最大值):±20V不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):255pF @ 30VFET功能:-功率耗散(最大值):2.5W(Ta),23W(Tc)工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)安装类型:表面贴装型器件封装:8-WDFN(3.3x3.3)NVTFWS030N06CTAG,安森美(ON)产品一站式供应商。