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规格参数
制造商产品型号:SGW10N60RUFDTM制造商:ON Semiconductor描述:IGBT 600V 16A 75W D2PAK系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列:-零件状态:停产IGBT类型:-电压-集射极击穿(最大值):600V电流-集电极(Ic)(最大值):16A电流-集电极脉冲(Icm):30A不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):2.8V @ 15V,10A功率-最大值:75W开关能量:141μJ(开),215μJ(关)输入类型:标准栅极电荷:30nC25°C时Td(开/关)值:15ns/36ns测试条件:300V,10A,20 欧姆,15V反向恢复时间(trr):60ns工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型:表面贴装型封装:TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263ABSGW10N60RUFDTM,安森美(ON)产品一站式供应商。
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